银河微电拟投资10.78亿元，打造高端核心器件量产基地

银河微电宣布，计划投入10.78亿元（自有资金或自筹），启动“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”。该工程是此前已披露的一期厂房建设项目的后续延伸，将在现有厂房内完成空间改造、新设备采购安装、生产线调试及产品客户送样验证等关键环节。 本项目聚焦新一代高性能功率半导体器件，涵盖SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、碳化硅（SiC）器件、智能功率模块（IPM）和车规级TVS/ESD保护器件等。与传统消费类小信号二极管和普通低压平面器件不同，这些新产品采用了更先进的芯片架构，并严格通过了AEC-Q101等高规格可靠性认证。它们具备低功耗、强抗静电与耐高压冲击能力以及超长使用寿命等核心优势。 目前，此类高端器件主要面向新能源汽车、储能系统及工业控制等对性能要求极高的细分市场。