纳微半导体盘后股价飙升22%，因该公司宣布赢得美国陆军研究实验室的ALATTIS项目。该项目旨在通过本土制造工艺，为国防应用开发下一代10 kV碳化硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）及PIN二极管技术。ALATTIS全称为“加速型大面积10 kV碳化硅绝缘栅双极型晶体管原型项目”，由美国陆军研究实验室在DEVCOM框架下资助，并获JETX支持。公告未透露具体的合同金额、期限及工作地点等细节。
Δ
