仅靠芯片封装已难应美方要求，SK海力士考虑将内存制造也迁往美国

SK海力士在美国的投资布局正迎来关键转折，其业务边界有望突破以往仅聚焦于封装测试的底线。目前，该公司正与英特尔探讨首次在美国本土生产内存芯片的可行性。具体路径主要包括两种：一是租赁英特尔位于俄亥俄州的现有晶圆厂产能；二是联合头部云计算企业组建合资公司，共同推进该项目。尽管相关磋商尚处初步接触阶段，且具体产品路线尚未明确，但SK海力士已明确表示，目前并未确定任何合作对象，美国本土的内存生产计划也未正式敲定。 这一潜在动向与此前的投资安排形成鲜明对比。此前，SK海力士已在印第安纳州启动了总投资超40亿美元的新一代高带宽内存（HBM）工厂建设，预计2029年下半年量产。然而，该基地的核心DRAM晶圆仍由韩国供应，赴美仅负责后续的先进封装与检测。这意味着，美方现阶段获取的仅是产业链后段的高附加值工序，而非芯片制造的最核心环节。 若此次关于俄亥俄州的晶圆制造设想最终落地，SK海力士将真正实现内存芯片核心产线的海外转移。这也意味着，美国半导体本土化进程将从“掌控终端关键制程”全面升级为“实现核心芯片本土制造”，具有里程碑式的意义。